完了!路透社:美国正计划限制中国闪存芯片 三星躺枪

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所属分类:娱乐生活

  【御龙天下新闻】手机、电脑等硬件设备都需要用到闪存芯片,2020年,闪存市场的产值突破560亿美元,我国进口芯片超过2.4万亿元,7000亿用于进口存储芯片,其中1300亿是闪存芯片。近日,路透社报道,美国正考虑限制中国制造128层堆叠以上的NAND Flash闪存芯片,限制对象包括长江存储,以此限制中国的半导体产业发展。

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  消息人士透露,如果美国确定采取该项计划,将对三星、SK海力士的闪存工厂造成影响。据悉,三星在中国拥有两家大型的NAND Flash工厂,SK海力士此前收购了英特尔旗下在中国的NAND Flash制造业务。还有人表示,美国将禁止向中国出口用于制造128 层堆叠以上NAND Flash闪存芯片设备。

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  值得一提的是,长江存储已成功量产128层NAND Flash,正积极研发232层NAND Flash,或将于年底量产。美国白宫在去年6月发布的一份报告中指出,长江存储的低价战略将对美国企业构成直接威胁。目前,美国商务部指控长江存储向华为畅享20e提供NAND闪存芯片,违反美国的出口禁令。

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