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【CNMO科技消息】在近日举办的台积电北美技术论坛上,SK海力士向公众展示了其最新一代HBM4高带宽内存技术,并同步展出了多款面向AI和数据中心的内存新品,展现出在高端内存领域的绝对领先优势。
根据官方介绍,SK海力士此次公布的HBM4规格相当亮眼。单颗容量最高可达48GB,带宽高达2.0TB/s,I/O速度达到8.0Gbps。公司计划在2025年下半年实现HBM4的大规模量产,最快今年底就有机会率先集成到相关产品中。值得注意的是,目前SK海力士是市场上唯一一家向公众展示HBM4技术细节的厂商,领先竞争对手三星和美光,后者目前仍处于送样阶段。
除了HBM4,SK海力士还带来了全球首款16层堆叠的HBM3E产品,带宽达到1.2TB/s。该标准预计将应用于NVIDIA最新的GB300“Blackwell Ultra”AI集群产品,后续则会在NVIDIA Vera Rubin架构中转向HBM4。SK海力士表示,得益于先进的MR-MUF封装工艺与硅通孔(TSV)技术,才使得如此高层数的堆叠成为可能,再次巩固了其在高端存储封装领域的领导地位。
在服务器内存方面,SK海力士同步展出了基于最新1c DRAM工艺制造的RDIMM与MRDIMM产品,传输速度最高达12,500MB/s。其中MRDIMM系列支持12.8Gbps速率,提供64GB、96GB和256GB多种容量选择;RDIMM系列则以8Gbps速率提供64GB与96GB版本,另有单条256GB容量的3DS RDIMM模块,全面覆盖高性能AI和数据中心应用需求。
通过不断推动HBM与服务器内存技术创新,并与NVIDIA等合作伙伴紧密协作,SK海力士已经在高端内存市场取得明显领先,超越了传统霸主三星,巩固了其在下一代AI计算时代的核心地位。